核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
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?天津市萬德思諾國際貿易有限公司成立于2019年5月17日，公司秉承“引進尖端技術、服務本土客戶”的理念，主要代理銷售日本及歐美等國第三代半導體領域（碳化硅、氮化鎵等）的先進材料和尖端設備，致力于服務國內各大高校、研究單位和半導體行業客戶。公司創始人核心團隊成員均具有15年以上相關從業經歷，特別是在寬禁帶半導體行業具有豐富的經驗和資源。
自公司成立以來團隊開始積極布局和銷售第四代半導體領域（氧化鎵）的相關材料和設備，不斷整合行業技術資源并融合本公司的專業技術和售后團隊，竭誠為每一位客戶提供優質的全產業化方案以及專業的技術支持和優質的售后服務。
萬德思諾致力于成為寬禁帶半導體行業設備及材料專業供應商 ！
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
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核心競爭力
Core Competitiveness
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資源整合
深耕化合物集寬禁帶半導體行業，提供全產業鏈的材料和設備解決方案。
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一站式服務
提供詳細的售前技術咨詢服務，可安排免費的樣品測試。多樣化的交易方式，滿足不同客戶采購要求。提供設備的安裝、保養、維修、升級等一站式服務。
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專業團隊
公司研發人員長期從業于半導體行業，有豐富的設備使用、安裝、調試經驗，從專業角度為您提供專業服務。
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成本優勢
從技術方案到生產線運營管理，公司有完整的科學的成本管控方案，從多角度為客戶打造最優方案。
新聞動態
News Center
2025-11-13 16:15:18
NCT技術總監佐佐木公平團隊聯合及佐賀大學：堆垛層錯引起的(001)β相氧化鎵(100)微裂紋及SBD反向漏電流研究
研究報道了在鹵化物氣相外延（HVPE）法生長的 (001) β-Ga2O3 外延層中存在的微裂紋，是肖特基勢壘二極管（SBD）中的致命缺陷。
2025-11-13 16:15:18
廈門大學楊曄教授聯合上海光學精密機械研究所齊紅基研究員團隊：鐵摻雜氧化鎵中深能級的電子輸運影響
結果表明，頻率依賴的太赫茲電導表現出由非均勻散射主導的彌散型電荷傳輸行為，可通過 Drude–Smith 模型有效描述。
2025-11-13 16:15:17
南京郵電大學唐為華教授、郭宇鋒教授、張茂林教授團隊：采用Mist-CVD法制備的高性能α-Ga?O?深紫外光探測器
研究結果表明，mist-CVD 生長的 α-Ga2O3 材料在可規?；⒌统杀局苽湎乱淮钭贤夤怆娖骷矫婢哂兄匾獞脻摿?。
2025-11-13 16:15:15
突破性進展！西電郝躍院士、張進成教授、寧靜教授團隊：通過可調控的相穩定化優化實現單相ε-Ga?O?外延生長
本研究建立了一種可重復、界面敏感的 ε-Ga2O3 外延生長途徑，強調了界面工程與相調控策略在推動超寬禁帶氧化物半導體實際應用中的關鍵作用。
2025-11-13 16:15:13
華南理工大學頂刊發表：具有集成光電突觸功能的ITZO/Ga?O?異質結憶阻器在類腦視覺應用中的研究
本文提出了一種由Ag/銦錫鋅氧化物（ITZO）/Ga2O3/銦錫氧化物（ITO）異質結構構建的光電子憶阻器。
2025-11-13 16:15:11
廈門大學&杭光所&上光所&復旦大學&吉林大學等團隊：β-Ga?O?薄膜外延生長與摻雜技術的最新進展與展望綜述
本文綜述了采用分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、氫化物氣相外延及其他生長技術在 Ga2O3 薄膜外延生長領域的最新進展。
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合作客戶
Cooperative Customers
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